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臺(tái)灣真空壓力除泡機(jī) 脫泡機(jī)設(shè)備
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SMT貼片加工點(diǎn)膠工藝和技術(shù)要求-ELT真空脫泡機(jī)

SMT貼片加工點(diǎn)膠工藝和技術(shù)要求-ELT真空脫泡機(jī)

  引線元件通孔插裝(THT)與表面貼裝(SMT)共存的貼插混裝工藝,是當(dāng)前電子產(chǎn)品生產(chǎn)中采用最普遍的一種組裝方式。在整個(gè)生產(chǎn)工藝流程中,印刷電路板(PCB)其中一面元件從開(kāi)始進(jìn)行點(diǎn)膠固化后,到了最后才能進(jìn)行波峰焊焊接,這期間間隔時(shí)間較長(zhǎng),而且進(jìn)行其他工藝較多,元件的固化就顯得尤為重要,因而對(duì)于點(diǎn)膠工藝的研究分析有著重要意義?! MT貼片加工膠水及其技術(shù)要求  SMT中使用的膠水主要用于片式元件…

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微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展-ELT脫泡機(jī)

微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展-ELT脫泡機(jī)

  流體點(diǎn)膠是一種以受控的方式對(duì)流體進(jìn)行精確分配的過(guò)程,它是微電子封裝行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)之一。目前,點(diǎn)膠技術(shù)逐漸由接觸式點(diǎn)膠向無(wú)接觸式(噴射)點(diǎn)膠技術(shù)轉(zhuǎn)變。本文從微電子封裝過(guò)程的應(yīng)用出發(fā),對(duì)點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行了概述;在對(duì)比各種點(diǎn)膠方式的同時(shí),重點(diǎn)介紹了無(wú)接觸式噴射點(diǎn)膠技術(shù),以及其中所涉及的關(guān)鍵技術(shù),并提出了評(píng)價(jià)點(diǎn)膠品質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)?! ×黧w點(diǎn)膠技術(shù)是微電子封裝中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),它可以構(gòu)造形成點(diǎn)、線、面(涂敷…

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晶圓制造過(guò)程及系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)分析

晶圓制造過(guò)程及系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)分析

  智能時(shí)代,芯片在我們的生活中無(wú)所不在,一顆芯片的誕生,需要經(jīng)過(guò)晶圓制造和芯片成品制造兩大階段?! 【A制造過(guò)程非常復(fù)雜,需要經(jīng)歷曝光、蝕刻、離子注入、金屬填充、研磨等一系列步驟后,晶圓上的集成電路才能最終成型?! ∪欢A本身是“脆弱”且“封閉”的,無(wú)法直接使用,只有經(jīng)過(guò)封裝和測(cè)試流程,才能最終生產(chǎn)出獨(dú)立、連通、可靠的芯片成品。  那么,芯片究竟是怎樣被封裝的呢?  我們首先介紹一種技術(shù)成熟、…

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三星電子計(jì)劃明年擴(kuò)大晶圓代工產(chǎn)能 急需晶圓壓膜機(jī)

三星電子計(jì)劃明年擴(kuò)大晶圓代工產(chǎn)能 急需晶圓壓膜機(jī)

  韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示,盡管明年全球經(jīng)濟(jì)將放緩,三星電子仍計(jì)劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱,三星 2023 年存儲(chǔ)器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%?! I(yè)內(nèi)消息人士稱,三星電子將在位于韓國(guó)平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備,12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達(dá) 7 萬(wàn)片,明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬(wàn)片(共 10 萬(wàn)),高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2…

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先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)助力汽車電子發(fā)展

先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)助力汽車電子發(fā)展

  以往,汽車的動(dòng)力、材質(zhì)、外形往往是汽車發(fā)展的主要方向,也是車廠和用戶看重的要素。如今,隨著汽車電子化程度的提升以及汽車智能化,網(wǎng)絡(luò)化浪潮的來(lái)臨,車內(nèi)半導(dǎo)體數(shù)量猛增, 預(yù)計(jì)到2025年,汽車電子成本會(huì)占到整車成本的一半左右。半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的重要力量之一?! ⊥瑫r(shí),用戶體驗(yàn)成為了人們關(guān)注的重點(diǎn)。例如,作為用戶交互的重要載體,車內(nèi)屏幕的進(jìn)化從來(lái)都沒(méi)有停下來(lái)過(guò),傳統(tǒng)的儀表盤(pán)、中控…

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毛細(xì)管底部填充與塑封底部填充工藝對(duì)比及氣泡問(wèn)題方案

毛細(xì)管底部填充與塑封底部填充工藝對(duì)比及氣泡問(wèn)題方案

  毛細(xì)管底部填充(CUF)工藝與塑封底部填充(MUF)工藝對(duì)比  傳統(tǒng)底部填充料中二氧化硅等填料的質(zhì)量含量一般在 50%~70%之間,而塑封底部填充料申二氧化硅的質(zhì)量含量高達(dá) 80%。同時(shí)因?yàn)楣に嚨奶攸c(diǎn),塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技術(shù)與傳統(tǒng)底部填充技術(shù)相比,對(duì)工藝進(jìn)行了簡(jiǎn)化,同時(shí)提高了生產(chǎn)效率及封裝的可靠性,可以滿足不斷發(fā)展的市場(chǎng)整體產(chǎn)品需求?! ≌繳nderfil…

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長(zhǎng)電科技實(shí)現(xiàn)4納米芯片封裝 空洞問(wèn)題急帶解決

長(zhǎng)電科技實(shí)現(xiàn)4納米芯片封裝 空洞問(wèn)題急帶解決

  近幾個(gè)月,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(zhǎng)電科技宣布,公司在先進(jìn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破,實(shí)現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機(jī)芯片的封裝,以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝?! ?納米芯片是5納米之后、3納米之前*先進(jìn)的硅節(jié)點(diǎn)技術(shù),也是導(dǎo)入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領(lǐng)域的頂尖科技產(chǎn)品之一,4納米芯片可被應(yīng)用于智能手機(jī)、5G通信、人工智能、自動(dòng)駕駛,以及包括GPU…

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高壓除泡機(jī)設(shè)備使用完后的維護(hù)和保養(yǎng)

高壓除泡機(jī)設(shè)備使用完后的維護(hù)和保養(yǎng)

  高壓除泡機(jī)設(shè)備使用完后的維護(hù)和保養(yǎng)  1、檢查高壓除泡機(jī)各設(shè)定值是否與使用說(shuō)明書(shū)一致  高壓除泡機(jī)使用一段時(shí)間后,需要檢查確認(rèn)設(shè)備溫度調(diào)節(jié)器的各設(shè)定值(SV值、PV值)是否正確,如果PV值設(shè)定混亂的話,即使用裝置是下正常狀態(tài),也會(huì)有溫度高、壓力高的情況出現(xiàn),所以需要按使用說(shuō)明書(shū)進(jìn)行設(shè)定?! ?、檢查門(mén)墊是否有傷  高壓除泡機(jī)門(mén)墊如果有出現(xiàn)損傷現(xiàn)象,加壓時(shí)會(huì)從門(mén)部漏氣,可以聽(tīng)到漏氣的聲音,需要及…

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半導(dǎo)體晶圓越做越大 壓膜問(wèn)題日漸突出

半導(dǎo)體晶圓越做越大 壓膜問(wèn)題日漸突出

  硅錠直徑從20世紀(jì)50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm,硅片直徑的歷史發(fā)展趨勢(shì)如圖所示。  目前生產(chǎn)直徑為75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的設(shè)備仍在使用中,由于把設(shè)備升級(jí)成能生產(chǎn)更大直徑的硅片需要花費(fèi)上億美元,所以最常見(jiàn)的做法是在建設(shè)新工廠時(shí)才引入新的硅片直徑。在2000年左右,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始轉(zhuǎn)向300mm直徑的硅片,進(jìn)而把對(duì)硅片直徑的評(píng)估測(cè)試已經(jīng)提高到400mm…

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