化合物半導體市場SiC功率模塊封裝技術的新挑戰(zhàn) New challenge 01 引線鍵合和復雜的內部互連結構帶來的問題 引線鍵合和復雜的內部互連結構帶來較大的寄生電容和寄生電感。SiC 功率芯片的開關速度可以更快，因而電壓和電流隨時間的變化率(dv/dt 和di/dt)就更大，這會對驅動電壓的波形帶來過沖和震蕩，會引起開關損耗的增加，嚴重時甚至會引起功率器件的誤開關，因此 SiC …
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第一代半導體以硅 (Si)、鍺 (Ge) 材料為代表，主要應用在數據運算領域，奠定了微電子產業(yè)基礎。第二代半導體以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表，主要應用于通信領域，用于制作高性能微波、毫米波及發(fā)光器件，奠定了信息產業(yè)基礎。隨著技術發(fā)展和應用需要的不斷延伸，二者的局限性逐漸體現出來，難以滿足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求?！ ∫蕴蓟?…
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工研院業(yè)科技國際策略發(fā)展所于4日指出，中國臺灣IC產業(yè)2021年產值將首度突破4兆元，達新臺幣4.1兆元，較2020全年成長25.9%，大幅高于全球市場平均。同時，IC設計業(yè)2021年產值將首度突破兆元，達1.20兆元，成長40.7% 工研院表示，2020年全球受到新冠肺炎疫情影響，全球經濟從實體經濟轉換為在線經濟與零接觸活動，無論是在線購物、在線咨詢、在線會議、在線課程等，延續(xù)到202…
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Underfill(底部填充膠)的功能與應用 1：為什么要用底填膠? 解決PCBA上的一個關鍵問題，CSP/BGA存在的隱患-應力集中; 1) 熱應力 因為芯片和基材的線性膨脹系數(CTE)不一樣，在冷熱循環(huán)測試時，高CTE和低CTE的材料之膨脹系數之差會導至焊球受到相互的約束，使其不能完全自由脹縮，而發(fā)生形變，終導致焊點斷裂; 2)機械應力 結合應用端的使用情況，一些如PCB板材…
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1、IGBT模塊結構 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示?！ 纳现滤来斡尚酒珼BC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(通常選用銅)三部分組成。DBC由三層材料構成，上下兩…
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芯片底部填充膠主要用于CSP/BGA 等倒裝芯片的補強，提高電子產品的機械性能和可靠性。根據芯片組裝的要求，討論了底部填充膠在使用中的工藝要求以及缺陷分析方法。 倒裝焊連接技術是目前半導體封裝的主流技術。倒裝芯片連接引線短，焊點直接與印刷線路板或其它基板焊接，引線電感小，信號間竄擾小，信號傳輸延時短，電性能好，是互連中延時*短、寄生效應*小的一種互連方法。這些優(yōu)點使得倒裝芯片在便攜式設備…
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第三代半導體也稱為寬禁帶半導體，不同于傳統的半導體主要賴硅晶圓，它在材料層面上實現了更新。而與第一代、第二代半導體并非替代關系，而是形成互補，三者特性各異、用途不同?！ 【唧w來看，第一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主，是CPU處理器等集成電路主要運用的材料;第二代半導體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等，目前手機所使用的關鍵通信芯片都采用這類材料制作?！ 〉谌雽w材料主要是…
查看詳情 封裝的工序比較復雜，大概有十幾道工序，有磨片、劃片......磨片就是讓圓片背面減薄，適應封裝需要;劃片就是通過金屬刀片，讓晶圓能夠一粒一粒地分割出來;裝片就是通過導電膠，讓芯片跟引線框固定起來;鍵合就是通過芯片的pad與框架之間實現電路導通;塑封就是把產品包裝起來。希望您在閱讀本文后有所收獲，歡迎在評論區(qū)發(fā)表見解和想法。ELT封裝除泡機 IC Package (IC的封裝形式)Packag…
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